[发明专利]一种测量套刻误差的方法及测试结构在审
| 申请号： | 202110106733.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113296365A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张飞虎;刘慧斌;陆梅君 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量套刻误差的方法及测试结构，可应用于晶圆套刻误差的测量。所述测试结构由第一光罩和第二光罩按预置套刻偏移量交叉叠加组合，所述预置套刻偏移量分为零偏移量、左偏移量及右偏移量。本发明通过设计的测试结构结合电学测量法来准确测量晶圆的套刻误差，相对于传统的光学测量法，本发明中的电学测量法更易于实现，测量值接近于真实的套刻误差，且不仅能表征晶圆在光刻工艺过程中表面产生的套刻误差，同时能从立体角度表征整体的套刻误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 误差 方法 测试 结构 | ||
【主权项】：
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