[发明专利]集成芯片及形成存储器装置的方法

摘要

本公开的各种实施例针对一种集成芯片，其包括设置在衬底内的第一井区、第二井区和第三井区。第二井区在横向上在第一井区和第三井区之间。隔离结构设置在衬底内并且横向地围绕第一、第二和第三井区。浮置栅极上覆衬底并且从第一井区横向延伸到第三井区。介电结构设置在浮置栅极下方。位线写入区设置在第二井区内，并且包括设置在浮置栅极的相对侧上的源极/漏极区。位线读取区设置在第二井区域内，且与位线写入区横向地偏移非零距离，并且包括设置在浮置栅极的相对侧上的源极/漏极区域。