[发明专利]半导体结构及其制作方法以及DRAM在审
| 申请号： | 202110111598.1 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114824076A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张铉瑀;许民;吴容哲;李俊杰;周娜;李琳;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体结构及其制作方法以及使用该半导体结构的DRAM，涉及电子技术领域，包括半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的多个下电极，多个所述下电极分布为多排结构，且相邻排的所述下电极相互交错排布；至少一层支撑件，所述支撑件具有椭圆形开口。在上述技术方案中，将支撑图案的具体结构设置为椭圆形以后，支撑图案与相邻的多个下电极连接并形成支撑固定时，便能够增加下电极之间的当前路径，有效的提高漏电路径的长度，解决因漏电路径短而发生的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 以及 dram | ||
【主权项】：
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