[发明专利]一种阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202110111708.4 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114823713A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王文龙;周晓东;张曙光 | 申请（专利权）人： | 超聚变数字技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;刘芳 |
| 地址： | 450046 河南省郑州市郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上包括第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极和第一绝缘层；第一绝缘层上包括第一源漏极和第二源漏极；第一源漏极与第一有源层通过第一过孔连接；第二源漏极上包括第二绝缘层；第二绝缘层上包括第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极。该阵列基板利用源漏极对第一有源层的隔离，改善了阵列基板中制作两种不同材料的薄膜晶体管的工艺兼容性的问题，增强了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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