[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供能够实现电特性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体柱，具有半导体层，沿第一方向延伸；第一布线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及第一电极，配置于所述半导体柱与所述第一布线之间。而且，实施方式的半导体存储装置具备：第一绝缘膜，在所述第一电极与所述第一布线之间配置为与所述第一电极相邻；以及第二绝缘膜，在所述第一绝缘膜与所述第一布线之间配置为与所述第一绝缘膜相邻，且介电常数比所述第一绝缘膜的介电常数高。所述第二绝缘膜与所述半导体层的最短距离比所述第一电极与所述半导体柱的最短距离长。