[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作工艺有效
| 申请号： | 202110116768.5 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112951954B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 何鹏 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/311;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 刘伊旸;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管芯片及其制作工艺，所述发光二极管芯片，包括生长在布拉格反射层上的电流扩散金属层，所述电流扩散金属层包括间隔且交替设置的第一扩散金属层和第二扩散金属层，所述第一扩散金属层与生长在布拉格反射层下方的P电极通过穿通布拉格反射层的一号通孔连接，所述第二扩散金属层与生长在布拉格反射层下方的N电极通过穿通布拉格反射层的二号通孔连接，实现了将一条线的电极变成了有限的几个点，有效的降低了插指结构设计中插指太多带来的亮度下降问题。所述制作工艺步骤简单，且参数易控，确保了所述发光二极管芯片具有实用性和广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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