[发明专利]一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法有效
| 申请号： | 202110119243.7 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112940249B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘海;皮霜玉;王旸;张佳春秀;王文宜;孙明英;梁草 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C08G73/06 | 分类号： | C08G73/06;H01G11/36;H01G11/86 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 文静 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，该合成方法采用单个阳极与双阴极配对的形式，通过更换与阳极配对的阴极位置和水流方向，进而实现在三维电极材料表面和内部合成均质聚吡咯纳米线阵列(PPyNWs)，本发明方法反应条件简单易于控制，适合在三维多孔材料表面与内部生成均质聚吡咯纳米线阵列，提升聚吡咯纳米线的应用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 过滤 三维 电极 均质聚 吡咯 纳米 阵列 合成 方法 | ||
【主权项】：
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