[发明专利]版图修正方法及系统、掩模版、设备和存储介质在审
申请号: | 202110127800.X | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN114815495A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 何超;苏柏青;苏柏松 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/72 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种版图修正方法及系统、掩模版、设备和存储介质,方法包括:获取芯片设计版图,包括在第一方向上相邻接的第一标准单元区和第二标准单元区,在第二方向上,第一标准单元为第二标准单元的高度的整数倍,第一标准单元区有若干第一有源区,第二标准单元区有若干第二有源区,在第一标准单元区和第二标准单元区内部,第一有源区和相邻第二有源区在第二方向上的边界相齐平,第一方向和第二方向相垂直;确定第一标准单元区和第二标准单元区的交界位置;在交界位置处,对版图层中的目标图形进行光学邻近修正,用于去除位于交界位置处的边界区域中的目标图形。完成修正后的芯片设计版图既能获得较小尺寸的标准单元区,且同时满足低功耗和高性能的需求。 | ||
搜索关键词: | 版图 修正 方法 系统 模版 设备 存储 介质 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备