[发明专利]一种中空二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用在审

专利信息
申请号: 202110128937.7 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112723365A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 李文;莫忆凡;陈晨 申请(专利权)人: 浙江三时纪新材科技有限公司
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;H01L23/29;H05K1/03
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 宋丽荣
地址: 313000 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种中空二氧化硅粉体填料的制备方法,其包括将纳米尺寸的前驱体分散于含水液体中得到含前驱体的分散液,将R1SiX3硅烷加入分散液中,其中,R1SiX3硅烷与分散液中的水进行水解缩合反应来提供包括T单位的聚硅氧烷,得到包括前驱体和聚硅氧烷的混合物,前驱体为可溶解于酸的前驱体且其粒径小于聚硅氧烷的粒径;在混合物中加酸以溶解前驱体,得到聚硅氧烷粉体;在含氧氛围中煅烧聚硅氧烷粉体,煅烧温度介于850度‑1200度之间,得到中空二氧化硅粉体填料。本发明还涉及由此得到的粉体填料及其应用。本发明的粉体填料通过在二氧化硅内部导入气孔以降低介电损失和介电常数。
搜索关键词: 一种 中空 二氧化硅 填料 制备 方法 由此 得到 及其 应用
【主权项】:
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