[发明专利]电荷俘获存储器件在审
| 申请号： | 202110128976.7 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113284536A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | F·卡恩;D·莫伊;N·W·罗布森;R·卡茨;D·L·阿南德;桐畑外志昭 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开一般地涉及半导体结构，更具体地涉及电荷俘获存储器件及制造和操作的方法。该半导体存储器包括：电荷俘获晶体管，其包括栅极结构、源极区和漏极区；以及自加热电路，其在电荷俘获晶体管的源极区和漏极区之间选择性地施加交替的偏置方向，以提供电荷俘获晶体管的擦除操作或编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 俘获 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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