[发明专利]阵列基板及阵列基板的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110130697.4 申请日: 2021-01-29
公开(公告)号: CN112885851A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 郑仁杰;张杨;杜夏;杨泽琨;张明福;李勃 申请(专利权)人: 合肥维信诺科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 娜拉
地址: 230037 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及阵列基板的制备方法,阵列基板包括:基底;第一晶体管,第一晶体管设于基底一侧,第一晶体管包括沿阵列基板的竖直方向层叠设置的金属氧化物层、多晶复合材料层以及第一多晶硅层,多晶复合材料层的导电性大于金属氧化物层的导电性,且小于第一多晶硅层的导电性;第二晶体管,第二晶体管设于基底的设有第一晶体管的同一侧,第二晶体管包括第二多晶硅层。多晶复合材料层的导电性强于金属氧化物层的导电性,在第一晶体管中,多晶复合材料层的导电性介于第一多晶硅层与金属氧化物层的导电性之间,提高了第一晶体管的电性均匀性,减少所需的晶体管数量,在应用于显示面板时可提高像素密度,降低晶体管功耗以及漏电风险。
搜索关键词: 阵列 制备 方法
【主权项】:
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