[发明专利]一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法在审
| 申请号： | 202110134586.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112959140A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 石明;刘琦;李诺;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 薛萌萌 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，包括S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛S2、将硅片置于中抛机进行中抛S3、将硅片置于精抛机进行精抛S4、抛光后进行初清洗S5、初清洗后进行最终清洗。本发明所述的硅片抛光采用的是化学机械抛光的方式，碱性抛光液对硅片有一定的腐蚀性,在中、精抛抛光过程结束及存放硅片的水槽使用界面活性剂，可以降低抛光液和水的氧化，从而降低氧化层的厚度，抛光后清洗采用低温低浓度的工艺方法，可以降低碱性清洗液对硅片的腐蚀氧化，同时通过新的SC‑2工艺可以利用HF将残留的氧化层腐蚀掉，从而得到较低氧化层厚度的硅抛光片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 抛光 表面 氧化 厚度 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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