[发明专利]平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 202110137004.4 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112802755A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 苏晓山;贾国;卢昂;李明宇;王大明 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，包括如下步骤：步骤S 1：在N型硅片表面沉积氧化硅并进行光刻刻蚀；步骤S2：去除部分氧化硅以形成沟槽刻蚀窗口，并进行沟槽刻蚀；步骤S3：去除N型硅片表面的氧化硅并对N型硅片的表面进行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉积一层氧化硅，并在上一层的氧化硅上沉积多晶硅；步骤S4：刻蚀步骤S3中的多晶硅及多晶硅下的两层氧化硅，进行栅氧化，沉积多晶硅，在多晶硅上沉积氧化硅；步骤S5：进行多晶硅的光刻刻蚀，再进行氧化硅的刻蚀，刻蚀出P‑注入窗口；步骤S6：进行P‑注入及推结；步骤S7：刻蚀出N+注入窗口并进行N+注入及退火。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 沟槽 相结合 场效应 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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