[发明专利]基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法在审

专利信息
申请号: 202110146642.2 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN112964756A 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 曹斌;姚远;刘育豪;包炜杰;温晖 申请(专利权)人: 浙江屹飞电力科技有限公司
主分类号: G01N27/07 分类号: G01N27/07;G01R31/12;G01R31/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 311835 浙江省绍兴市诸暨*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法,包括分析区域选取、污层局部表面导电率测量、污层的局部等值盐密测量和污层局部表面导电率测量、污层的局部等值盐密测量关系曲线绘制几个步骤。本发明的有益效果在于,自然积污绝缘子表面污秽的可溶盐一般由多种难、易溶盐共同组成。同一地区的绝缘子表面污秽中的可溶盐成分不受绝缘子伞型、材质、布置方式、离地高度、积污时间、污秽轻重等的影响,污秽可溶盐成分相对固定,因此,和绝缘子表面污秽度的测量相比,绝缘子表面污秽可溶盐成分的分析需求低得多,仅需测量若干个点即可得到该地区表面电导率和等值盐密的关系,进一步能够实现对该地区所有绝缘子表面污秽度进行修正。
搜索关键词: 基于 表面 电导率 绝缘子 自然 污秽 试验 修正 方法
【主权项】:
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