[发明专利]基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法在审
申请号: | 202110146642.2 | 申请日: | 2021-02-03 |
公开(公告)号: | CN112964756A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 曹斌;姚远;刘育豪;包炜杰;温晖 | 申请(专利权)人: | 浙江屹飞电力科技有限公司 |
主分类号: | G01N27/07 | 分类号: | G01N27/07;G01R31/12;G01R31/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 311835 浙江省绍兴市诸暨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法,包括分析区域选取、污层局部表面导电率测量、污层的局部等值盐密测量和污层局部表面导电率测量、污层的局部等值盐密测量关系曲线绘制几个步骤。本发明的有益效果在于,自然积污绝缘子表面污秽的可溶盐一般由多种难、易溶盐共同组成。同一地区的绝缘子表面污秽中的可溶盐成分不受绝缘子伞型、材质、布置方式、离地高度、积污时间、污秽轻重等的影响,污秽可溶盐成分相对固定,因此,和绝缘子表面污秽度的测量相比,绝缘子表面污秽可溶盐成分的分析需求低得多,仅需测量若干个点即可得到该地区表面电导率和等值盐密的关系,进一步能够实现对该地区所有绝缘子表面污秽度进行修正。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 电导率 绝缘子 自然 污秽 试验 修正 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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