[发明专利]3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置有效
| 申请号： | 202110147527.7 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112786603B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李锋锐;张硕;邹远祥;张伟;周毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置。根据本发明实施例的3D存储器件包括衬底；叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；沟道孔，设置在所述叠层结构上；以及阻挡层，设置在所述沟道孔中，用于阻挡波长在第一范围内的信号其中，所述叠层结构包括第一叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；第二叠层结构，位于所述第一叠层结构上方，用于形成存储阵列；所述沟道孔包括：第一沟道孔，设置在所述第一叠层结构中，其中，所述阻挡层设置在所述第一沟道孔中。根据本发明实施例的3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置，能够准确量测3D存储器件的薄膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 方法 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
