[发明专利]高电阻率半导体层中的富陷阱层在审
| 申请号： | 202110149108.7 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113363309A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩;J·J·派卡里克;史蒂芬·M·宣克;约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/06;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及高电阻率半导体层中的富陷阱层，揭示包括电性隔离的结构以及形成包括电性隔离的结构的方法。在半导体衬底上方形成半导体层，并在该半导体层中形成浅沟槽隔离区。该半导体层包括具有大于或等于1000欧姆‑厘米的电阻率的单晶半导体材料。该浅沟槽隔离区经设置以围绕该半导体层的一部分，从而定义主动装置区。多晶层位于该半导体层中，并横向延伸于该主动装置区及围绕该主动装置区的该浅沟槽隔离区下方。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 半导体 中的 陷阱 | ||
【主权项】：
暂无信息
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