[发明专利]电容结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110150428.4 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112928210B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 苏星松;白卫平;郁梦康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种电容结构及其制备方法，用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构的制备方法包括：在第一电极上形成介电层，介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分预设氧化物与金属氧化物共用氧原子；在介电层上形成第二电极，第一电极、介电层和第二电极形成电容结构。通过形成部分预设氧化物与部分金属氧化物共用氧原子的金属氧化物层，可以减少氧的含量，从而减小预设氧化物导致电容结构的介电常数降低的影响，以提高电容结构的性能。此外，使得预设氧化物可以较好地掺杂在金属氧化物层中，进一步提高电容结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110150428.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
