[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110150960.6 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112466803B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡双 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一基片以及第二基片，第一基片具有第一键合面，且在第一键合面形成有第一图案结构以及对位标记，第二基片具有第二键合面以及与第二键合面相背离的图案制作表面；在第一键合面或第二键合面上形成保护层，保护层在第一键合面的正投影至少覆盖对位标记；将第一基片的第一键合面与第二基片的第二键合面进行键合；于第二基片内形成暴露保护层的通孔，通孔在第一键合面上的正投影包围对位标记；去除保护层；通过对位标记进行对位，在第二基片的图案制作表面形成与第一图案结构相对应的第二图案结构。本申请可以有效提高对位标记的对准精度，从而有效保证工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路制造（绍兴）有限公司，未经中芯集成电路制造（绍兴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110150960.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
