[发明专利]一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法有效
| 申请号： | 202110151591.2 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112939605B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 戴培赟;王东娟;李晓丽;张吉亮;殷铭良;路金喜 | 申请（专利权）人： | 潍坊工商职业学院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 262234 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅陶瓷制备技术领域，具体涉及一种提高碳化硅陶瓷的生长速率的方法，通过提供一种在坩埚本体内设置有多孔隔板，多孔隔板将坩埚内区域自上而下分隔为气相区、上粉体放置区、下粉体放置区的高纯石墨坩埚，并将其用于高温物理气相传输法制备碳化硅陶瓷，通过在碳化硅粉体中加入外加硅粉，并结合粉料分布形态和制备参数的调整实现提高碳化硅陶瓷的生长速率的技术目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 陶瓷 生长 速率 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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