[发明专利]一种提高槽栅GaN MIS FET器件可靠性的方法在审
| 申请号： | 202110155283.7 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112993030A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 翁加付;周炳 | 申请（专利权）人： | 宁波海特创电控有限公司;桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33268 | 代理人： | 王方华 |
| 地址： | 315500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种提高槽栅GaN MIS FET器件可靠性的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；表面处理形成GaO |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 gan mis fet 器件 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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