[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110162639.X | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113314428A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤嘉昭;椀泽光伸;松本明;出口善宣;齐藤健太郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄倩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在根据一个实施例的制造半导体器件的方法中，在提供包括非易失性存储器、焊盘以及包括有机材料的绝缘膜的半导体晶片之后，使探针接触位于第二区域中的焊盘的表面，并且数据被写入到非易失性存储器。在此，通过对有机材料执行第一热处理来形成绝缘膜。而且，在对半导体晶片执行第二热处理并检查其中被写入数据的非易失性存储器之后，通过使用电镀法来在位于第一区域中的焊盘的表面上形成阻挡层和第一焊料材料。此外，通过对第一焊料材料执行第三热处理来在第一区域中形成凸块电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
