[发明专利]一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺在审

专利信息
申请号: 202110165012.X 申请日: 2021-02-06
公开(公告)号: CN112877670A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 刘思远 申请(专利权)人: 合肥市辉耀真空材料有限责任公司
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/26
代理公司: 合肥广源知识产权代理事务所(普通合伙) 34129 代理人: 胡丽虹
地址: 231100 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及植珠膜真空蒸镀技术领域,具体涉及一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺;包括真空仓真空仓中设置有放卷辊、收卷辊、若干导向辊,放卷辊上设置有植珠膜,真空仓的内腔下端设置有蒸镀室,主鼓的下端鼓面伸入蒸镀室中,位于主鼓正下方的蒸镀室中有坩埚蒸发装置,坩埚蒸发装置包括容置槽,容置槽中设置有若干排坩埚,每排坩埚呈平行设置且每排坩埚与植株膜的牵引方向相垂直,每排坩埚与相邻一排的坩埚之间交错设置,坩埚的外围套设有螺旋式感应加热线圈;本发明能够保证镀在植株膜面上的镀层厚度更加均匀,有效解决了现有真空蒸镀设备无法适用于植株膜高质量镀膜的不足,同时有效降低了植珠膜镀膜过程中的原料浪费。
搜索关键词: 一种 坩埚 蒸发 植珠膜 真空 设备 镀膜 工艺
【主权项】:
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