[发明专利]一种掩膜板及其制作方法在审
申请号: | 202110166568.0 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN112859512A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 钱超;余洋;黄斌;植启东 | 申请(专利权)人: | 南京深光科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F1/68;G03F9/00 |
代理公司: | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人: | 肖念 |
地址: | 210038 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于掩膜板技术领域,尤其是涉及一种掩膜板及其制作方法,包括掩膜板本体和掩膜板边框和掩膜板基底,掩膜板基底层叠在掩膜板本体的背部,掩膜板基底与掩膜板本体粘合,掩膜板本体的侧边嵌合有贴条,掩膜板本体通过贴条与掩膜板边框粘合;掩膜板边框上分有第一准备区和第二准备区,第一准备区和第二准备区长度大于其宽度,第一准备区和第二准备区上刻有校准图形。优点在于:本发明在掩膜板进行张网和焊接时具有更好的可控性,从而使得掩膜板整体降低作业时的次品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京深光科技有限公司,未经南京深光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110166568.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备