[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110167317.4 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN114203826A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 小岛秀春 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供良品率高的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1电极和基板，上述基板具有第1电极所接触的第1面、和与第1面对置的第2面，在第1面具有与平行于第1面的第1方向的长度相比、与第1方向交叉且与第1面平行的第2方向的长度更短的第1槽，基板具有：第1导电型的第1半导体层、设于第1半导体层与第2面之间且第1导电型的杂质浓度比第1半导体层高的第2半导体层、设于第2半导体层与第2面之间的第2导电型的第1半导体区域、设于第1半导体区域与第2面之间的第1导电型的第2半导体区域、和在从第2面到达第2半导体层且在第2方向上延伸的第1沟槽内隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域对置地设置的第2电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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