[发明专利]一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法有效
| 申请号： | 202110168120.2 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113004047B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 战再吉;程庭信;曹海要 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法，属于高熵化合物材料制备技术领域，所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下摩尔比的氮化物：18％～22％的CrN、18％～22％的VN、18％～22％的NbN、18％～22％的TiN、其余为ZrN；所述制备方法包括三个步骤：预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度，实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结，得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷，丰富了陶瓷材料体系，制备的高熵陶瓷块体晶粒细小，断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 crzrtinbv 陶瓷 块体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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