[发明专利]一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置

摘要

本发明公开了一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，包括机体，机体上开设有加热内腔，加热内腔的内壁上固定安装有腔体陶瓷衬，加热内腔的内底部固定安装有热盘，热盘的上表面开设有上下贯穿的顶针孔，顶针孔的内部固定连接有滑套；升降环的顶部固定安装有若干组顶针，顶针的上端滑动插接于顶针孔内部的滑套内，升降环的下部安装有用于驱动升降环的升降机构；热盘的上部表面安装有覆盖盘，覆盖盘的上部表面外圈上固定连接有边缘环；本发明利用电热丝热盘的方式进行加热，并将其与DXZ型行程限位器的传送机构合二为一，提高了工艺温度稳定性与传送精度；在热盘的上部表面设置了覆盖盘以及边缘环，有效防止了热盘表面损伤，延长了使用寿命。