[发明专利]一种具有高容量电容结构的阵列基板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110177373.6 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112909027A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 岳华琦;陈宇怀 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L49/02;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 张明
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及阵列基板技术领域,特别涉及一种具有高容量电容结构的阵列基板及其制备方法,包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层,缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽,凹槽中填充有第一电极层,第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层,第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容,第二电极层、第一蚀刻阻挡层和第三电极层构成一个电容,以形成两个并联的电容,从而进一步增大了电容容量,同时也能减小电容的占用面积,具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。
搜索关键词: 一种 具有 容量 电容 结构 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
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