[发明专利]半导体装置以及半导体结构有效
| 申请号： | 202110177896.0 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113471190B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈奕豪 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及半导体结构，该半导体装置用以保护内部电路，包括晶体管、第一掺杂区以及第二掺杂区。晶体管包括栅极端、源极端以及漏极端。栅极端耦接至接地端，源极端耦接至内部电路，漏极端耦接至输入/输出焊垫。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有第二导电型，且相互连接于第一掺杂区。第一掺杂区以及第二掺杂区形成栅极端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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