[发明专利]控制非易失性存储器参数的控制方法有效
| 申请号： | 202110178558.9 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112908392B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李炯尚;李钟哲 | 申请（专利权）人： | 东芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邓晔;宋俊寅 |
| 地址： | 200000 上海市青浦区赵巷镇沪青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法，该控制方法包括：动态触发点限定步骤，在该动态触发点限定步骤中，设定动态触发点；更新用参数存储步骤，在该更新用参数存储步骤中，针对动态触发点中的每一个动态触发点,在特定的存储区域中存储更新用参数；标记单元限定步骤，在该标记单元限定步骤中，针对每个动态触发点，限定一个相对应的标记单元；以及参数更新步骤，在该参数更新步骤中，基于已经完成的擦除操作的总次数、每个动态触发点所对应的特定擦除操作次数以及相对应的标记单元的编程状态，来更新非易失性存储器的参数。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 非易失性存储器 参数 方法 | ||
【主权项】：
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