[发明专利]封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110180082.2 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113013041A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 章军 | 申请（专利权）人： | 池州昀冢电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/52;H01L23/06;H01L23/08;H01L23/04;H01L23/055;H01L23/10 |
| 代理公司： | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 247000 安徽省池州市皖江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的第一表面设置围坝，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述基板的第一表面，所述下层坝体为塑胶材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构；提供一金属件，所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。制造成本低；对环境的污染小；采用模块化设计的理念，将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分，使围坝的制备过程更加灵活；可以提供无机封装条件和/或耐受UV照射功能；增强结构强度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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