[发明专利]半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法在审
| 申请号： | 202110183764.9 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN114093886A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文可以提供半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：层叠体，该层叠体包括层间绝缘层和设置在层间绝缘层之间的选择线；芯绝缘层，该芯绝缘层穿透层叠体；半导体图案，该半导体图案沿着芯绝缘层的侧壁延伸并且包括设置在选择线和芯绝缘层之间的未掺杂区域；掺杂半导体图案，该掺杂半导体图案设置在半导体图案和层间绝缘层之间；以及栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置在半导体图案和选择线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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