[发明专利]具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法有效
| 申请号： | 202110188791.5 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN112951805B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 赵祥辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H01L21/66;G01B21/02 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有标记结构的三维存储器、其制备方法以及利用所述标记结构监测台阶位移的方法。所述三维存储器包括衬底、位于衬底上的第一堆叠结构以及位于第一堆叠结构上的第二堆叠结构；三维存储器设有接触区以及邻接接触区的台阶区；接触区内设有贯穿第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿第二堆叠结构的第二存储沟道，第二存储沟道与第一存储沟道连接；在台阶区内的第一堆叠结构与第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构，在伪堆叠结构中设有标记结构。本发明中的标记结构制作在伪堆叠结构中，不会因后续工艺发生位置漂移，标记结构与粘结层的制作可以同时进行，不用额外增加制程，缩短了器件制造的生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 标记 结构 三维 存储器 制备 方法 位移 监测 | ||
【主权项】：
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