[发明专利]CVD金属晶种层在审
| 申请号： | 202110190127.4 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112992860A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李雅玲;吴林荣;卢一斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成金属互连层的改进的方法以减小空隙和提高可靠性以及相关的器件。在一些实施例中，介电层形成在半导体衬底上方并且具有布置在介电层内的开口。使用化学汽相沉积(CVD)工艺在开口的表面上形成金属晶种层。然后在金属晶种层上镀金属层以填充开口。使用CVD工艺形成金属晶种层为晶种层提供良好的均匀性，这允许填充介电层中的高高宽比的开口而没有空隙或夹断。本发明的实施例还涉及CVD金属晶种层。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 金属 晶种层 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110190127.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：测试分选机中的测试托盘移送方法
- 下一篇：一种白钨捕收剂及其制备方法
