[发明专利]半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 202110191543.6 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN113410241A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 西村贵仁;西川拓也;浅井志保子 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11551
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种根据实施例的半导体存储器装置包含衬底、第一构件、第一导电层与第一柱及第二柱。所述衬底包含第一区域及第二区域与块区域。所述第一导电层被所述第一构件分割。所述第一柱被提供在其中所述第一区域与所述块区域重叠的区域中。所述第二柱被提供在其中所述第二区域与所述块区域重叠的区域中。所述第二区域包含其中所述第二柱周期性地布置在与所述块区域中的至少一个块区域重叠的区域中的第一子区域。在所述第一子区域中,从周期性地布置的所述第二柱省略至少一个第二柱。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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