[发明专利]一种用于半导体芯片扩膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110191989.9 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN112967999B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 阮文静;黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于半导体芯片扩膜的制备方法，包括：提供第一扩膜环、第二扩膜环和待扩晶圆；取蓝膜固定在所述第一扩膜环上，绷紧后，并在绷好蓝膜的中心区域掏空一个大于待扩晶圆的圆环；在第二扩膜环上固定有放置待扩晶圆的第二蓝膜，并对待扩晶圆进行切割，切割好芯片后，沿第二扩膜环内四周切去多余的第二蓝膜，并去除第二扩膜环；将去除第二扩膜环的芯片放在底部，同时，将掏好圆环的第一扩膜环盖在上面，使第一扩膜环的中心与芯片中心重合，并将重叠的蓝膜和第二蓝膜进行粘结，获得半成品；将半成品放置于扩膜机上扩膜，得到扩膜好的半导体芯片。本发明提供的用于半导体芯片扩膜的制备方法，能将尺寸小的铁环扩膜到尺寸大的扩晶环。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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