[发明专利]半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法在审
| 申请号： | 202110202093.6 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112951806A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法，该半导体结构包括衬底、浅槽隔离区域、第一多晶硅层、第二多晶硅层和多个通孔结构，其中，浅槽隔离区域位于部分衬底上；第一多晶硅层包括连续的第一部分和第二部分，第一部分位于衬底上，第二部分位于浅槽隔离区域上；第二多晶硅层位于衬底上，第二多晶硅层与第一多晶硅层相同；至少一个第一多晶硅层上有两个通孔结构，两个通孔结构中的一个位于第一部分上，两个通孔结构中的另一个位于第二部分上，至少一个第二多晶硅层上有两个通孔结构，两个通孔结构在第二多晶硅层上的位置与两个通孔结构在第一多晶硅层上的位置相同。该半导体结构使得台阶高度的测试方法的成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 台阶 高度 确定 方法 | ||
【主权项】：
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