[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110204690.2 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112968056A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/08;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：位于衬底上的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构；所述第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构之间通过隔离结构隔开；所述第一栅极堆叠结构能够承受的最大电压与所述第二栅极堆叠结构能够承受的最大电压的差值大于预设值；位于所述衬底中，且位于所述第一栅极堆叠结构一侧的第一漏区；位于所述衬底中，且位于所述第一栅极堆叠结构和所述第一漏区之间的第一轻掺杂漏区；位于所述第一轻掺杂漏区上的第三栅极堆叠结构；所述第三栅极堆叠结构用于作为所述第一轻掺杂漏区的控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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