[发明专利]存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110209896.4 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035775B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈涛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种存储器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布；进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层；图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构以及位于相邻字线结构之间的填充槽，填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；在第一填充槽中分别形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构、沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。达到提高字线结构导电性能及存储器件的性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
