[发明专利]一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备有效
申请号: | 202110213776.1 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113026089B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 雷仁贵;于会永;冯佳峰;袁韶阳;赵中阳;张军军;赵春峰 | 申请(专利权)人: | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B29/42 |
代理公司: | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人: | 孙淑荣 |
地址: | 163000 黑龙江省大庆市高新区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备,涉及单晶生长设备领域,包括炉体、石英管,石英管、坩埚,炉体与石英管之间固定设置有单段式加热器,所述的单段式加热器外侧固定安装有温梯筒,所述的温梯筒带有环形的过液腔,过液腔底部螺纹连接有封堵环,封堵环内圈、外圈分别与温梯筒螺纹连接,封堵环沿周向均匀加工有进液孔,进液孔内插装有进液管,进液管与封堵环固定连接,进液管下方设置有储液箱,过液腔上端设置有出液口。本发明由于温梯范围可变化,所以在加热器长度不变的情况下,可提供不同范围的梯度场,从而适用于不同物质单晶生长;且温梯的连续性良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 化合物 材料 生长 工艺设备 | ||
【主权项】:
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