[发明专利]一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备有效

专利信息
申请号: 202110213776.1 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN113026089B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 雷仁贵;于会永;冯佳峰;袁韶阳;赵中阳;张军军;赵春峰 申请(专利权)人: 大庆溢泰半导体材料有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/42
代理公司: 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 代理人: 孙淑荣
地址: 163000 黑龙江省大庆市高新区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备,涉及单晶生长设备领域,包括炉体、石英管,石英管、坩埚,炉体与石英管之间固定设置有单段式加热器,所述的单段式加热器外侧固定安装有温梯筒,所述的温梯筒带有环形的过液腔,过液腔底部螺纹连接有封堵环,封堵环内圈、外圈分别与温梯筒螺纹连接,封堵环沿周向均匀加工有进液孔,进液孔内插装有进液管,进液管与封堵环固定连接,进液管下方设置有储液箱,过液腔上端设置有出液口。本发明由于温梯范围可变化,所以在加热器长度不变的情况下,可提供不同范围的梯度场,从而适用于不同物质单晶生长;且温梯的连续性良好。
搜索关键词: 一种 半导体 化合物 材料 生长 工艺设备
【主权项】:
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