[发明专利]一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法有效
| 申请号： | 202110216497.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113026105B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B28/12 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有碳化硅粉料容易使碳化硅晶体产生缺陷的问题，本发明提供了一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，先用氢氟酸浸泡碳化硅粉料，再将粉料加入100℃去离子水中加热得到氢钝化的碳化硅粉料；将氢钝化的碳化硅粉料与保护溶剂充分混合，然后旋蒸蒸发保护溶剂至混合物呈粉状，得到预处理粉料；最后采用PVT法以所得预处理粉料为原料制备碳化硅晶体。采用氢钝化与有机溶剂包裹保护相结合的预处理方式能够长期维持粉料表面的低氧杂质含量状态，提高碳化硅晶体的良品率。本发明制备方法简单、试剂价格低廉且安全，具有良好的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 预处理 制备 碳化硅 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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