[发明专利]用于半导体存储器装置的错误检查和擦除在审
| 申请号： | 202110219629.5 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113393890A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | R·J·鲁尼;M·A·布莱瑟 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及用于半导体存储器装置的错误检查和擦除。描述用于存储器装置(例如，DRAM)的包含结合刷新操作的错误检查和擦除ECS程序的方法、系统和设备。所述ECS程序可当在码字中检测到错误时包含读取/修改‑写入循环。在一些实施例中，所述存储器装置可在多个刷新命令内完成所述ECS程序，即通过在执行第一刷新命令时执行所述ECS程序的读取(或读取/修改)部分，以及通过在执行第二刷新命令时执行所述ECS程序的写入部分来完成所述ECS程序。本文中所描述的所述ECS程序可有助于避免可在所述ECS程序和其它存储器操作之间出现的信令冲突或干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 存储器 装置 错误 检查 擦除 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110219629.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
