[发明专利]用于在集成电路处理期间保护经单个化集成电路裸片的方法及相关设备在审
| 申请号： | 202110220102.4 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314452A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | A·M·贝利斯;B·P·沃兹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于在集成电路处理期间保护经单个化集成电路裸片的方法及相关设备。提供经单个化集成电路IC裸片。所述经单个化IC裸片定位在切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间。底部填充层及保护覆盖膜安置在所述经单个化IC裸片及所述相邻的经单个化IC裸片的侧面之间的开放空间上面。所述底部填充层及所述保护覆盖膜包含一或多个可光界定的材料。执行曝光操作以在所述底部填充层与所述保护覆盖膜上产生图案。基于所述图案，在所述相邻的经单个化IC裸片的所述侧面之间的所述开放空间上面的区域处将所述底部填充层及所述保护覆盖膜移除，以形成安置在所述经单个化IC裸片上面的所述底部填充层的部分及所述保护覆盖膜的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 处理 期间 保护 单个 方法 相关 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
