[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

摘要

本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层。在所述导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠包括其间具有水平拉长的沟槽的横向间隔开的存储器块区。沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层。所述第一层的材料具有与所述第二层的成分不同的成分。所述第一层的最低者厚于其上方的所述第一层。所述第一层材料选择性地相对于所述第二层材料进行各向同性蚀刻以在所述第一层中形成空隙空间。传导材料沉积到所述沟槽中并沉积到所述第一层中的所述空隙空间中。所述传导材料填充在所述最低第一层上方的所述第一层中的所述空隙空间。所述传导材料不完全填充所述最低第一层中的所述空隙空间。从所述最低第一层蚀刻所述传导材料。在蚀刻所述传导材料之后，导电材料沉积到所述最低第一层的所述空隙空间中，并将所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。公开了额外实施例，包含独立于方法的结构。