[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110225664.8 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113314665A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朴台镇;朴哲权;金昭煐;金恩娥;金孝燮;朴素贤;韩成熙;黄有商 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L45/00;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置，包括：衬底中间隔开的第一杂质区和第二杂质区；器件隔离图案，其位于第一杂质区与第二杂质区之间；位线接触件，其位于第一杂质区上；存储节点接触件，其位于第二杂质区上；以及介电图案，其位于位线接触件与存储节点接触件之间。器件隔离图案的侧壁的上部具有第一倾角，器件隔离图案的侧壁的下部具有与第一倾角不同的第二倾角。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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