[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
申请号: | 202110226977.5 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113314506A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 余振华;苏安治;叶德强;黄立贤;叶名世 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供用于半导体器件的再分布结构及其形成方法。该半导体器件包括被密封剂密封的管芯,该管芯包括焊盘,以及电连接到该焊盘的连接件。该半导体器件还包括与连接件物理接触的第一通孔。该第一通孔在第一方向上与连接件横向偏移第一非零距离。该第一通孔具有锥形侧壁。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110226977.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于芯片组装的金属接片
- 下一篇:打印设备、打印控制方法和存储介质