[发明专利]一种动态可重构的RAM读写方式在审
| 申请号： | 202110228889.9 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112802513A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 朱珂;王李伟;陶常勇;汪欣;王元磊;王盼;王永胜;李晓颖;刘长江;李文强 | 申请（专利权）人： | 井芯微电子技术（天津）有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人： | 廖曾 |
| 地址： | 300000 天津市经济技术开发区滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种动态可重构的RAM读写方式，在原始的顺序读写RAM的基础上，增加按奇偶元素分别存储两块RAM的读写方式、按上下三角元素分别存储两块RAM的读写方式、按奇偶行分别存储两块RAM的读写方式以及按行顺序存储到RAM的读写方式。通过寄存器设置能够实现RAM读写方式的改变，从而在硬件电路层面实现RAM读写方式的可重构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 可重构 ram 读写 方式 | ||
【主权项】：
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