[发明专利]常压下连续合成非晶/微晶氮化硅粉体的方法及装置有效
| 申请号： | 202110229171.1 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112794295B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 吴平;王立;杨金光;尹少武;童莉葛;刘传平;张培昆 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种常压下连续合成非晶/微晶氮化硅粉体的方法及装置，属于超细氮化硅粉体制备技术领域。该方法将原料硅粉在硅粉预处理装置中完成高纯氮气空气置换、硅粉颗粒表面吸附氧脱除和温度保持等预处理过程，预处理后的硅粉经分散团聚后以悬浮输送方式在高温反应塔中进行硅氮反应生成氮化硅粉体，反应后通过快速冷却获得非晶和微晶氮化硅粉体。该方法解决了现有常压合成生产氮化硅粉体方法存在的生产周期长、产品质量不稳定和生产成本高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 压下 连续 合成 氮化 硅粉体 方法 装置 | ||
【主权项】：
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