[发明专利]一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法有效
| 申请号： | 202110230724.5 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113046831B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 马天慧;李兆清;王春艳;张红晨;林鹏 | 申请（专利权）人： | 黑龙江工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种控制硒化镓单晶体解理面定向生长的方法，它涉及硒化镓单晶体生长的方法。它是要解决现有的硒化镓晶体的解理面的方向无法控制的技术问题。本发明的方法：先用垂直双温区管式电阻炉合成GaSe多晶，然后接着通过控制径向温度梯度、纵向温度梯度、石英管的转速和坩埚下降速率来调控GaSe单晶生长方向，进行晶体生长。本发明的方法可以根据需要调整解离层与坩埚纵向轴线的角度，利于器件制备时对晶体的切割，晶体利用率高，可用于晶体生长领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 硒化镓 单晶体 解理 定向 生长 方法 | ||
【主权项】：
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