[发明专利]导电结构的制作方法、导电结构及机台设备有效
| 申请号： | 202110230882.0 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097129B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王永平;张育龙;黄驰;曾海;武素衡;李远 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种导电结构的制作方法、导电结构及机台设备，该导电结构的制作方法包括：在晶圆上待填充的导孔和/或沟槽内表面沉积籽晶层；对所述晶圆的上表面和下表面进行加热，使所述籽晶层回流，以去除所述待填充的导孔和/或沟槽豁口处及侧壁的悬垂凸起结构。该导电结构采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热，使晶圆的升温更加均匀和快速，减少豁口处及侧壁的悬垂凸起结构，拓展了籽晶层回流的工艺窗口，减少晶圆因温升变化产生的应力，采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热还可以显著减少籽晶层回流的工艺耗时，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 制作方法 机台 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
