[发明专利]一种提高LED芯片提取效率的方法有效
| 申请号： | 202110232484.2 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113036006B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 袁凤坡;唐兰香;路立锋;田志怀;曹增波;孟立智 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 河北知亦可为专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 张梅申 |
| 地址： | 050200 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5‑10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内；在对LED芯片进行加工时，将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到混合物a，再将溶剂与混合物a混合得到混合物b将LED芯片浸泡在混合物b中，并对浸泡时的温度和时间进行控制，氧化锡具有较高的导电性和稳定性，与锑粉混合后，大大提高电导性，且再与云母粉混合，大大提高了LED芯片的耐高温性能，从而大大提高LED芯片的提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 芯片 提取 效率 方法 | ||
【主权项】：
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